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氧化温度对SrTiO_3晶界层电容器性能的影响
引用本文:唐晓霞,范福康,吕忆农. 氧化温度对SrTiO_3晶界层电容器性能的影响[J]. 陶瓷科学与艺术, 1990, 0(4)
作者姓名:唐晓霞  范福康  吕忆农
作者单位:南京化工学院硅酸盐工程系,南京化工学院硅酸盐工程系,南京化工学院硅酸盐工程系
摘    要:
采用空气中一次烧成工艺,研究了氧化温度对SrTiO_3晶界层电容器试样的介电常数ε,绝缘电阻率ρ及介质损耗tgδ的影响;对试样进行了TEM分析,直接观察到存在于多个晶粒交汇处的Ti_nO_(2n-1)第二相;提出了不同氧化温度下的晶界结构模型,较好地解释了试样介电常数随氧化温度的降低而单调增大的变化规律。

关 键 词:SrTiO_3晶界层电容器  氧化温度  一次烧成

EFFECTS OF OXIDIZING TEMPERATURE ON THE PROPERTIES OF SiTiO_3 BOUNDARY LAYER CAPACITORS
Tang Xiaoxia Fan Fukang Lu Yinong. EFFECTS OF OXIDIZING TEMPERATURE ON THE PROPERTIES OF SiTiO_3 BOUNDARY LAYER CAPACITORS[J]. Ceramics Science & Art, 1990, 0(4)
Authors:Tang Xiaoxia Fan Fukang Lu Yinong
Affiliation:Department of Silicate Engineering
Abstract:
Keywords:SrTiO_3   boundary layer capacitors   oxidizing temperature   single-fired
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