| 一种低暗电流高响度InGaAs/InP pin光电探测器 |
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| 引用本文： | 车相辉,张宇,宁吉丰,李洪涛,王晶,位永平,张豫黔,赵润,陈宏泰.一种低暗电流高响度InGaAs/InP pin光电探测器[J].微纳电子技术,2014(4):214-218,248. |
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| 作者姓名： | 车相辉 张宇 宁吉丰 李洪涛 王晶 位永平 张豫黔 赵润 陈宏泰 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所; |
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| 摘 要： | 分析了InGaAs/InP pin光电探测器暗电流和响应度的影响因素,并对MOCVD外延工艺以及器件结构进行优化,从而提高器件响应度和降低暗电流。采用低压金属有机化学气相沉积设备(LP-MOCVD)成功制备了InGaAs/InP pin光电探测器,得到了高质量的晶体材料,InGaAs吸收层的背景浓度低于4×1014 cm-3。利用扩Zn工艺制作出感光区直径为70μm的平面光电探测器。测量结果显示,在反偏电压为5 V时,暗电流小于0.05 nA,电容约为0.4 pF。此外,在1 310 nm激光的辐照下,器件的响应度可达0.96 A/W以上。
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| 关 键 词： | InGaAs 光电探测器 暗电流 响应度 光纤通信 金属有机化学气相沉积(MOCVD) |
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