窄带半导体的晶体生长(以 Pb_(1-x)Sn_xTe 和 Hg_(1-x)Cd_xTe 为中心)

绪言近几年来,窄带半导体的研究进展很快。在研究在红外激光和探测器件上的应用的同时,特别是最近,也注重于物性研究。最近举行的、关于窄带半导体的国际会议上,大家的注意力集中在以Pb_(1-x)Sn_xTe为代表的铅锡硫硒碲化合物和以Hg_(1-x)Cd_xTe为代表的汞镉硫硒碲化合物上。若改变组分,这些半导体的禁带宽度都要变化,以至接近于零。