|
|||||
|
|
| 一个估算重离子在SiO_2、Al_2O_3和Si_3N_4中的R_p和ΔR_p的经验公式 | |
| 引用本文： | 李金华,张永恩,夏日源,陈鄂生.一个估算重离子在SiO_2、Al_2O_3和Si_3N_4中的R_p和ΔR_p的经验公式[J].半导体学报,1983,4(5):471-476. |
| 作者姓名： | 李金华 张永恩 夏日源 陈鄂生 |
| 作者单位： | 常州半导体厂 (李金华)，山东大学物理系 (张永恩，夏日源)，山东大学物理系(陈鄂生) |
| 摘 要： | 我们用中子活化分析和RBS技术测量了几种能量的~(73)As~+和~(132)Xe~+离子注入SiO_2和Al_2O_3膜的射程参数R_p和△R_p.把实验结果与投影射程统计计算的理论值作了对比.在总结国内外多种实验结果的基础上,找出了一个估算重离子(Z≥30,E=30-400KeV)在SiO_2、Al_2O_3和Si_3N_4中的R_p和△r_p的经验公式.该公式对R_p的估算值与多种实验值的差异一般小于10％、△R_p的差异一般小于15％. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |