高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管 |
| |
引用本文: | 王姝睿,刘忠立,李国花,于芳,刘焕章.高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管[J].半导体学报,2001,22(8):962-966. |
| |
作者姓名: | 王姝睿 刘忠立 李国花 于芳 刘焕章 |
| |
作者单位: | 中国科学院半导体研究所, |
| |
摘 要: | 在 N型 6 H - Si C外延片上 ,通过热蒸发 ,制作 Ti/ 6 H- Si C肖特基势垒二极管 (SBD) .通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,该肖特基二极管具有较好的整流特性 .反向击穿电压约为 40 0 V,室温下 ,反向电压 VR=2 0 0 V时 ,反向漏电流 JR 低于 1e- 4 A / cm2 .采用 Ne离子注入形成非晶层 ,作为边缘终端 ,二极管的击穿电压增加到约为 80 0 V.
|
关 键 词: | 碳化硅 肖特基势垒二极管 6H-Si |
文章编号: | 0253-4177(2001)08-0962-05 |
修稿时间: | 2001年2月16日 |
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录! |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|