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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管
作者姓名:
王姝睿
刘忠立
李国花
于芳
刘焕章
作者单位:
中国科学院半导体研究所,
摘 要:
在 N型 6 H - Si C外延片上 ,通过热蒸发 ,制作 Ti/ 6 H- Si C肖特基势垒二极管 (SBD) .通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,该肖特基二极管具有较好的整流特性 .反向击穿电压约为 40 0 V,室温下 ,反向电压 VR=2 0 0 V时 ,反向漏电流 JR 低于 1e- 4 A / cm2 .采用 Ne离子注入形成非晶层 ,作为边缘终端 ,二极管的击穿电压增加到约为 80 0 V.
关 键 词:
碳化硅
肖特基势垒二极管
6H-Si
文章编号:
0253-4177(2001)08-0962-05
修稿时间:
2001-02-16
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