| 电子束光刻中的辐照损伤 |
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| 引用本文： | 孙毓平,朱文珍,梁俊厚,葛璜,梁久春.电子束光刻中的辐照损伤[J].电子与信息学报,1985,7(4):304-310. |
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| 作者姓名： | 孙毓平 朱文珍 梁俊厚 葛璜 梁久春 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体所
(孙毓平，朱文珍，梁俊厚，葛璜)，中国科学院半导体所(梁久春) |
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| 摘 要： | 本文研究了电子束光刻中电子能量(10—30keV)和电荷剂量(10~(-6)—10~(-3)C·cm~(-2))对铝栅MOS电容器的损伤和低温退火(<500℃)的影响。研究电子束光刻中高能量(30keV)和高剂量(10~(-3)C·cm~(-2))电子束引起的损伤,对电子束汽相显影光刻和电子束无显影光刻是有实际意义的。实验表明,平带电压的损伤可高达十几伏,界面态密度可高达10~(12)cm~(-2)eV~(-1)以上。在一定电荷剂量下,平带电压的损伤对电子能量的变化(在一定范围内)不敏感。在一定电子能量下,界面态密度的损伤对电荷剂量的变化(在一定范围内)不敏感。低温(<500℃)退火能完全消除平带电压的损伤,但不能完全消除界面态密度的损伤。
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| 收稿时间： | 1984-01-23 |
IRRADIATION DAMAGES IN ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY |
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| Sun Yuping,Zhu Wenzhen,Liang JunhouGe Huang,Liang Jiuchun.IRRADIATION DAMAGES IN ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY[J].Journal of Electronics & Information Technology,1985,7(4):304-310. |
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| Authors: | Sun Yuping Zhu Wenzhen Liang JunhouGe Huang Liang Jiuchun |
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| Affiliation: | Institute of Semiconductors Academia Sinica |
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