| ECR-PECVD制备氮化硅薄膜的键态结构 |
| |
| 引用本文： | 吴先球,陈俊芳,熊予莹,吴开华,任兆杏. ECR-PECVD制备氮化硅薄膜的键态结构[J]. 功能材料, 2003, 34(1): 108-109 |
| |
| 作者姓名： | 吴先球 陈俊芳 熊予莹 吴开华 任兆杏 |
| |
| 作者单位： | 1. 华南师范大学,物理系,广东,广州,510631
2. 中国科学院等离子体物理研究所,安徽,合肥,230031 |
| |
| 基金项目： | 广东省重点科技攻关资助项目(2KM01401G)，广东省自然科学基金资助项目(000675,011466)，广东省教育厅千百十优秀人才科研基金资助项目(200005) |
| |
| 摘 要： | 用红外光谱和拉曼光谱分析了用低温电子回旋共振等离子体CVD技术制备的Si3N4薄膜的键态结构。结果表明Si3N4薄膜主要由Si-N键结构组成，还含有Si-H和Si-O-Si键结构。随着沉积温度的提高，Si3N4薄膜中的Si-H键减少，氢含量降低。可利用提高沉积温度来减少Si3N4薄膜中的氢含量。在沉积温度为420℃时Si3N4薄膜的Raman光谱在短波方向出现一新的展宽的拉曼散射峰。
|
| 关 键 词： | ECR－PECVD 制备 氮化硅薄膜 键态结构 |
| 文章编号： | 1001-9731(2003)01-0108-02 |
| 修稿时间： | 2002-01-21 |
Bonding structure of plasma enhanced chemical vapor deposited silicon nitride thin films |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | silicon nitride thin film bonding structure ECR-PECVD |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
