| HgCdTe钝化过程中形成的镶嵌结构及其热处理效应 |
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| 引用本文： | 孙涛,王庆学,陈文桥,梁晋穗,陈兴国,胡晓宁,李言谨.HgCdTe钝化过程中形成的镶嵌结构及其热处理效应[J].半导体学报,2005,26(1):62-66. |
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| 作者姓名： | 孙涛 王庆学 陈文桥 梁晋穗 陈兴国 胡晓宁 李言谨 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,功能材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,功能材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,功能材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,功能材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,功能材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,功能材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,功能材料器件中心,上海,200083 |
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| 摘 要： | 通过高分辨X射线衍射仪中的二维点阵研究了溅射的CdTe介质膜对HgCdTe外延层的影响．发现在高溅射能量下沉积的钝化膜由于应力的作用，HgCdTe晶片出现弯曲及大量镶嵌结构，而这种镶嵌结构可通过合理的热处理工艺消除．
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| 关 键 词： | HgCdTe CdTe 钝化 二维点阵 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)01-0062-05 |
| 修稿时间： | 2003年12月30日 |
Mosaic Structure and Heating Treatment of Passivated HgCdTe |
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| Sun Tao,Wang Qingxue,Chen Wenqiao,Liang Jinsui,Chen Xingguo,Hu Xiaoning,and Li Yanjin.Mosaic Structure and Heating Treatment of Passivated HgCdTe[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(1):62-66. |
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| Authors: | Sun Tao Wang Qingxue Chen Wenqiao Liang Jinsui Chen Xingguo Hu Xiaoning and Li Yanjin |
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| Abstract: | The epitaxial layer of HgCdTe passivated by CdTe is investigated with high-resolution two-dimensional mapping of X-ray diffraction.It is found that the wafer of HgCdTe is bended and mosaic structure is also observed because of the sputtered passivation layer.The bended wafer and mosaic structure can be recovered by suitable heating treatment. |
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| Keywords: | HgCdTe CdTe |
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