| 反应RF磁控溅射法制备氧化铝薄膜及其介电损耗 |
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| 引用本文： | 赵登涛,朱炎,狄国庆. 反应RF磁控溅射法制备氧化铝薄膜及其介电损耗[J]. 真空科学与技术学报, 2000, 20(4): 300-303 |
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| 作者姓名： | 赵登涛 朱炎 狄国庆 |
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| 作者单位： | 苏州大学物理系薄膜材料实验室!苏州215006 |
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| 摘 要： | 在氧气和氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射铝靶制备了非晶氧化铝薄膜 ,其直流介电强度为 3～ 4MV/cm。当固定氩气流量 (压力 ) ,改变氧分压时 ,薄膜沉积速率先减小 ,再增大 ,然后又减小。适当的低工作气压和溅射功率下 ,薄膜的介电损耗可以达到 0 4% ,小于已报道的关于非晶氧化铝薄膜的损耗。从 1 0 0Hz到 5MHz,所有的样品均未显示出可见的极化弛豫引起的损耗峰
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| 关 键 词： | 反应射频磁控溅射 沉积速率 介电损耗 频率 |
| 修稿时间： | 1999-10-15 |
Dielectric Loss of Amorphous Alumina Films Grown by Reactive RF Magnetron Sputtering |
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| Zhao Dengtao,Zhu Yan,Di Guoqing. Dielectric Loss of Amorphous Alumina Films Grown by Reactive RF Magnetron Sputtering[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2000, 20(4): 300-303 |
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| Authors: | Zhao Dengtao Zhu Yan Di Guoqing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Reactive RF magnetron sputtering Deposition rate Dielectric loss Frequency |
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