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| 腐蚀模板法获取高长径比β-Si3N4晶种的工艺参数研究 | |
| 作者姓名： | 袁帅 郑彧 李涤寒 童亚琦 张跃 |
| 作者单位： | 北京中材人工晶体研究院有限公司,北京 100018;北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京 100191;北京中材人工晶体研究院有限公司,北京,100018;上海航天控制技术研究所,上海,201109;北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京,100191 |
| 基金项目： | 国家重点研发计划(2017YFB0310400) |
| 摘 要： | 采用腐蚀模板法对氮化硅陶瓷薄板进行熔融碱腐蚀处理获取β-Si3N4晶种.研究了腐蚀介质、时间对晶粒形貌及分散性的影响.优化了超声、磁力搅拌、研磨三种晶粒剥离的方法,确认磁力搅拌的方法是最佳的剥离工艺.通过X射线衍射和扫描电子显微镜对产物进行了微观形貌观察及物相分析,结果显示获得的晶种为高纯度β-Si3N4,粒径范围为2～10μm,最高长径比可达10以上. |
| 关 键 词： | 腐蚀模板法 β-Si3N4晶种 氮化硅流延基板, |
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