| 热处理温度对FeCoSiB薄膜及FeCoSiB/Cu/FeCoSiB三明治膜应力阻抗效应的影响 |
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| 引用本文： | 张万里,蒋洪川,杨国宁,彭斌,张文旭,张永强. 热处理温度对FeCoSiB薄膜及FeCoSiB/Cu/FeCoSiB三明治膜应力阻抗效应的影响[J]. 功能材料, 2005, 36(4): 516-518 |
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| 作者姓名： | 张万里 蒋洪川 杨国宁 彭斌 张文旭 张永强 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国防预研基金资助项目(51412010304DZ0238) |
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| 摘 要： | 采用DC磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB 三明治膜,并进行磁场退火热处理以消除残余应力和形成磁织构,提高薄膜的应力阻抗效应。薄膜的磁性能采用振动样品磁强计(VSM)进行测试,采用HP4275A 型阻抗分析仪在200kHz~10MHz频率范围内测试薄膜的应力阻抗效应。结果表明,磁场退火热处理可形成感生磁各向异性,改善薄膜的软磁性能、提高薄膜的应力阻抗效应。在温度低于300℃时,随着退火温度的增加,薄膜的应力阻抗效应增大;当退火温度超过300℃时,薄膜的应力阻抗效应随退火温度增加而降低。与Fe CoSiB单层膜相比, FeCoSiB/Cu/FeCoSiB 三明治膜应力阻抗效应较大。10MHz测试频率下,在基片末端位移为450μm时,经300℃热处理的三明治膜达到了8.3%,而单层膜仅有1.86%。当测试频率较高为10和4MHz时,薄膜的应力阻抗效应变化不大,当测试频率下降到低于1MHz时,薄膜的应力阻抗效应显著降低。
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| 关 键 词： | 磁弹性 应力阻抗效应 FeCoSiB FeCoSiB/Cu/FeCoSiB 磁场热处理 |
| 文章编号： | 1001-9731(2005)04-0516-03 |
| 修稿时间： | 2004-08-30 |
Influence of annealing temperature on stress impedance effect of FeCoSiB films and FeCoSiB/Cu/FeCoSiB sandwich layers |
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| ZHANG Wan-li,JIANG Hong-chuan,YANG Guo-ning,PENG Bin,ZHANG Wen-xu,ZHANG Yong-qiang. Influence of annealing temperature on stress impedance effect of FeCoSiB films and FeCoSiB/Cu/FeCoSiB sandwich layers[J]. Journal of Functional Materials, 2005, 36(4): 516-518 |
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| Authors: | ZHANG Wan-li JIANG Hong-chuan YANG Guo-ning PENG Bin ZHANG Wen-xu ZHANG Yong-qiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetoelastic films stress impedance FeCoSiB films FeCoSiB/Cu/FeCoSiB sandwich layers magneto-annealing |
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