高均匀性1×4多模干涉耦合器的研究与设计 |
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作者姓名: | 李赵一 范作文 丛庆宇 周敬杰 曾宪峰 郑少南 董渊 胡挺 钟其泽 贾连希 |
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作者单位: | 1. 上海大学微电子学院;2. 中科院上海微系统与信息技术研究所 |
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基金项目: | 国家重点研发计划资助项目(2018YFB2200503); |
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摘 要: | 针对多输出端口输出光功率的不均匀性问题,文章设计了一种基于绝缘体上硅(SOI)的1×4多模干涉(MMI)耦合器,提出了一种优化其均匀性的新方法。耦合器输入/输出端采用锥形波导,为提升MMI耦合器的均匀性,对输出端锥形波导采用不等宽设计,通过优化,四路输出端口均匀性高达0.007 4 dB,而总的插损仅有0.058 dB。依据该方法最终使得输出端波导的传输常数失配,避免了波导之间的串扰,实现了对MMI耦合器输出端口均匀性的提升。
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关 键 词: | 硅光子学 多模干涉耦合器 均匀性 损耗 |
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