| (Pb,La)TiO3/LaNiO3异质结薄膜的漏电流特征 |
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| 引用本文： | 程铁栋,唐新桂,匡淑娟,熊惠芳,刘秋香,蒋艳平. (Pb,La)TiO3/LaNiO3异质结薄膜的漏电流特征[J]. 稀有金属材料与工程, 2008, 37(Z2): 233-236 |
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| 作者姓名： | 程铁栋 唐新桂 匡淑娟 熊惠芳 刘秋香 蒋艳平 |
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| 作者单位： | 广东工业大学,广东,广州,510006 |
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| 基金项目： | 广东省自然科学基金(05001825) |
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| 摘 要： | 采用溶胶-凝胶法(sol-gel),以LaNiO3(LNO)为底电极在/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了(Pb1-xLax)Ti1-x/4O3(x=28 mol%,简称PLT)薄膜.经过600℃快速退火.从而得到了多晶钙钛矿结构PLT薄膜.薄膜漏电流和电压极性有关,当在Pt电极或LNO电极施加负偏压时,在低电场作用下,Pt/PLT和PLT/LNO界面分别形成肖特基势垒和欧姆接触;在高电场作用下,Pt/PLT和PLT/INO界面的漏电流均呈现空间电荷限制电流导电机制.这是因为用金属氧化物LNO做底电极的缘故.
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| 关 键 词： | PLT薄膜 界面特性 漏电流 肖特基发射 空间电荷限制电流 |
| 文章编号： | 1002-185X(2008)S2-233-04 |
| 修稿时间： | 2007-11-22 |
Leakage Current Characteristics of(Pb,La)TiO3/LaNiO3(PLT/LNO)Heterostructure Thin Films |
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| Cheng Tiedong,Tang Xingui,Kuang Shujuan,Xiong Huifang,Liu Qiuxiang,Jiang Yanping. Leakage Current Characteristics of(Pb,La)TiO3/LaNiO3(PLT/LNO)Heterostructure Thin Films[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2008, 37(Z2): 233-236 |
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| Authors: | Cheng Tiedong Tang Xingui Kuang Shujuan Xiong Huifang Liu Qiuxiang Jiang Yanping |
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