| 调制比对磁控溅射Ti/TiN多层膜组织结构和结合力的影响 |
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| 作者姓名： | 刘闯 周晖 张凯锋 郑军 冯兴国 郑玉刚 |
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| 作者单位： | 兰州空间技术物理研究所,真空技术与物理国防科技重点实验室,甘肃 兰州 730000;兰州空间技术物理研究所,真空技术与物理国防科技重点实验室,甘肃 兰州 730000;兰州空间技术物理研究所,真空技术与物理国防科技重点实验室,甘肃 兰州 730000;兰州空间技术物理研究所,真空技术与物理国防科技重点实验室,甘肃 兰州 730000;兰州空间技术物理研究所,真空技术与物理国防科技重点实验室,甘肃 兰州 730000;兰州空间技术物理研究所,真空技术与物理国防科技重点实验室,甘肃 兰州 730000 |
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| 摘 要： | 通过固定薄膜厚度与调制周期,改变Ti与TiN调制比(分别为1∶3、1∶5、1∶9和1∶11),采用反应磁控溅射法在硅片上制备Ti/TiN多层膜,研究调制比对薄膜微观组织结构及薄膜与基体结合力的影响。用X射线衍射仪(XRD)分析薄膜的晶体结构,用扫描电镜(SEM)观察薄膜的形貌,用纳米压痕仪测试薄膜的硬度,用纳米划痕仪测试薄膜与基体之间的结合力。结果表明:多层膜中TiN出现(220)晶面择优取向,Ti/TiN薄膜为柱状晶方式生长。柱状晶的细化程度随调制比的变化而发生周期性变化,柱状晶组织细化程度高的样品具有更高的硬度,但结合力更低。
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| 关 键 词： | 钛 氮化物 多层膜 反应磁控溅射 调制比 结合力 |
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