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| 自组织生长InAs量子点发光的温度特性 | |
| 引用本文： | 吕振东,杨小平,袁之良,徐仲英,郑宝真,许继宗,陈弘,黄绮,周均铭,王建农,王玉琦,葛惟昆.自组织生长InAs量子点发光的温度特性[J].半导体学报,1996,17(10):793-796. |
| 作者姓名： | 吕振东 杨小平 袁之良 徐仲英 郑宝真 许继宗 陈弘 黄绮 周均铭 王建农 王玉琦 葛惟昆 |
| 作者单位： | [1]半导体超晶格国家重点实验室 [2]中国科学院物理研究所 |
| 摘 要： | 本文报道ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ自组织生长量子点结构中发光的温度特性．在１２～１５０Ｋ温度范围内，实验测得的ＩｎＡｓ激子发光能量随温度增加明显红移，其红移速率远大于ＩｎＡｓ带隙的温度关系，而光谱宽度则明显减小．这些结果表明ＩｎＡｓ量子点结构是一种强耦合系统，局域在ＩｎＡｓ量子点中的载流子波函数会相互交途、相互贯穿，从而增强了载流子的弛豫过程． |
| 关 键 词： | 自组织生长 砷化铟 量子点发光 温度特性 |
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