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| 高熵合金AlCrNbSiTiV氮化物薄膜溅镀参数的优化 | |
| 引用本文： | 万松峰,许春耀,张钰乾.高熵合金AlCrNbSiTiV氮化物薄膜溅镀参数的优化[J].电镀与涂饰,2018(15). |
| 作者姓名： | 万松峰 许春耀 张钰乾 |
| 作者单位： | 东莞职业技术学院机电工程系;龙华科技大学机械工程系 |
| 摘 要： | 以AlCrNbSiTiV为靶材,用反应式磁控溅镀系统分别在住友BNX20刀具和硅晶片上沉积高熵合金氮化物(AlCrNbSiTiV)N薄膜。采用田口方法的L9(34)正交表考察了沉积时间、基材偏压、溅射功率和基材温度对沉积速率、薄膜硬度和刀具寿命的影响,通过方差分析(ANOVA)确定了影响各性能的主要因素。对信噪比(S/N)进行灰关联分析以实现多目标优化,得出最佳工艺参数为:沉积时间20min,基材偏压-100V,溅射功率250W,基材温度400°C。在该条件下,沉积速率为17.28nm/min,薄膜硬度达到2814HV,刀具寿命2.50m。 |
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