Cu_2O改性TiO_2纳米管阵列光电极的制备及其光电催化降解甲基橙的性能

采用脉冲电沉积法将Cu_2O负载至Ti O_2纳米管阵列(NTAs)上,得到能够催化降解甲基橙的光电极。采用X射线衍射仪、扫描电镜和紫外-可见分光光度计表征了Ti O2 NTAs电极的微观结构和光电性能。考察了Cu_2O沉积时间、偏压和光照条件对电极催化降解性能的影响。结果表明,通过脉冲电沉积Cu_2O能有效增强Ti O_2 NTAs的光电活性。Cu_2O沉积时间为40 s时所得电极的性能最好。在电极两端施加适当的偏压能有效增强电极的催化活性。在偏压为0.6 V和可见光照射的条件下,该电极对甲基橙的降解效果最好,降解1 h的脱色率达到66%。