| MCP中单通道电子倍增参数的Monte Carlo模拟计算 |
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| 引用本文： | 韦亚一. MCP中单通道电子倍增参数的Monte Carlo模拟计算[J]. 电子与信息学报, 1992, 14(1): 76-80. |
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| 作者姓名： | 韦亚一 |
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| 作者单位： | 中国科学院电子学研究所 北京 |
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| 摘 要： | 本文用Monte Carlo方法对电子在MCP单通道中传输,碰撞和次级发射的整个过程进行了模拟。给出了MCP中次级电子能量分布表达式。计算了MCP中单通道电子倍增的有关参数,并对比实验数据讨论了模型及其结果的合理性。
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| 关 键 词： | 微通道板 Monte Carlo方法 次级电子发射 电子倍增 |
| 收稿时间： | 1990-11-08 |
| 修稿时间： | 1991-02-26 |
MONTE CARLO SIMULATION AND COMPUTATION OF SINGLE CHANNEL MULTIPLYING PARAMETERS IN MCP |
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| Wei Yayi. MONTE CARLO SIMULATION AND COMPUTATION OF SINGLE CHANNEL MULTIPLYING PARAMETERS IN MCP[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1992, 14(1): 76-80. |
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| Authors: | Wei Yayi |
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| Affiliation: | Institute of Electronics Academia Sinica Beijing 100080 |
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| Abstract: | Monte Carlo method is used to simulate the whole courses of electronictransportation, collision and secondary emission in a single channel of MCP. The energy distribution formula of secondary electron of MCP is derived. Each parameter of a single channel in MCP is calculated and discussed. |
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| Keywords: | MCP (microchannel plate) Monte Carlo method Secondary electron emission Electron multiplying |
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