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| 剥层椭偏法对As~ 注入Si热退火过程的进一步研究 | |
| 引用本文： | 陈敏麒,张宏,罗晋生.剥层椭偏法对As~ 注入Si热退火过程的进一步研究[J].半导体学报,1983(5). |
| 作者姓名： | 陈敏麒 张宏 罗晋生 |
| 作者单位： | 西安交通大学 (陈敏麒，张宏)，西安交通大学(罗晋生) |
| 摘 要： | 本文用剥层椭偏光法对As离子注入硅的热退火过程作了较详细的研究.As 离子注入剂量为 5 ×10~(14)cm~(-2),能量为100keV.在300-800℃之间各种不同温度下退火,得到了在这几种温度下固相外延平均速率及复折射率分布的变化.我们发现在各种温度下非晶层的消光系数都变小,尾部的折射率变大. |
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