| CMOS全差分超宽带低噪声放大器 |
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| 引用本文： | 罗志勇,李巍,李宁,杨光,任俊彦.CMOS全差分超宽带低噪声放大器[J].固体电子学研究与进展,2008,28(4). |
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| 作者姓名： | 罗志勇 李巍 李宁 杨光 任俊彦 |
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| 作者单位： | 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203 |
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| 基金项目： | 国家部级项目
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| 摘 要： | 文中给出了一个应用于超宽带射频接收机中的全集成低噪声放大器,该低噪声放大器采用了电阻并联负反馈与源极退化电感技术的结合,为全差分结构,在Jazz0.18μm RF CMOS工艺下实现,芯片面积为1.08mm2,射频端ESD抗击穿电压为1.4kV。测试结果表明,在1.8V电源电压下,该LNA的工作频带为3.1～4.7GHz,功耗为14.9mW,噪声系数(NF)为1.91～3.24dB,输入三阶交调量(IIP3)为-8dBm。
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| 关 键 词： | 互补金属氧化物半导体 超宽带 低噪声放大器 |
A Differential UWB CMOS Low Noise Amplifier |
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| LUO Zhiyong,LI Wei,LI Ning,YANG Guang,REN Junyan.A Differential UWB CMOS Low Noise Amplifier[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2008,28(4). |
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| Authors: | LUO Zhiyong LI Wei LI Ning YANG Guang REN Junyan |
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| Affiliation: | LUO Zhiyong LI Wei LI Ning YANG Guang REN Junyan (ASIC & System State Key Laboratory,Fudan University,Shanghai,201203,CHN) |
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| Abstract: | A differential ultra-wideband CMOS low noise amplifier that combines inductive source degeneration and resistive shunt-feedback is presented. Prototype fabricated in Jazz 0.18μm RF CMOS process achieves a maximum power gain of 15.5dB,a noise figure of 1.91 dB to 3.24 dB within the 3 dB bandwidth of 3.1～4.7 GHz,an input IP3 of-8 dBm and an HBM ESD hardness of 1.4 kV,while drawing 8.3 mA from a 1.8 V supply. |
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| Keywords: | CMOS ultra-wideband (UWB) low noise amplifier (LNA) |
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