新型72/84kVC—GIS用真空灭弧室的绝缘特性 |
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引用本文: | Shioi.,T 蔡莉.新型72/84kVC—GIS用真空灭弧室的绝缘特性[J].真空电器技术,1999(3):1-5. |
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作者姓名: | Shioi. T 蔡莉 |
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摘 要: | 本文描述了72/84kV新型柜式气体绝缘开关设备C-GIS用真空灭弧室的绝缘技术。沿聊瓷内表面设计一个多腔屏蔽结构可大大提高绝缘性能,它使真空灭弧室的体积减小了40%,配置这种真空灭弧室的C-GIS设备的体积也减少40%,本文讨论了表面绝缘的基本特征及多腔屏蔽结构对表面绝缘的影响以及它们在新型72/84kV C-GIS设备中的应用。
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关 键 词: | 真空灭弧室 绝缘 全封闭组合电器 |
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