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基于磁控溅射技术的ZAO透明导电薄膜及靶材的研究
引用本文:肖华,王华,任鸣放.基于磁控溅射技术的ZAO透明导电薄膜及靶材的研究[J].液晶与显示,2006,21(2):158-164.
作者姓名:肖华  王华  任鸣放
作者单位:1. 桂林电子工业学院,通信与信息工程系,广西,桂林,541004
2. 桂林电子工业学院,信息材料科学与工程系,广西,桂林,541004
摘    要:阐述用磁控溅射技术制备综合性能优良的ZAO透明导电薄膜及其靶材的发展现状和趋势。介绍了透明导电薄膜的基本性能及其存在的问题,进而重点阐述了ZAO薄膜的组织结构、导电机制和透光特性。由于其优良的光电特性(用掺杂Al2O3质量分数达3%的溅射靶材可制备电阻率达4.7×10-4Ω·cm、透射率超过90%的ZAO薄膜)而具有广泛的应用前景。并针对靶材的制备和利用磁控溅射技术制备ZAO透明导电薄膜过程中存在的问题及发展方向进行了分析讨论。

关 键 词:磁控溅射  ZAO透明导电薄膜  溅射靶材  光电特性
文章编号:1007-2780(2006)02-0158-07
修稿时间:2005年6月17日

Aluminum Doped ZnO Transparent Conductive Oxide Films and Target by Magnetron-Sputtering
XIAO Hua,WANG Hua,REN Ming-fang.Aluminum Doped ZnO Transparent Conductive Oxide Films and Target by Magnetron-Sputtering[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2006,21(2):158-164.
Authors:XIAO Hua  WANG Hua  REN Ming-fang
Abstract:
Keywords:magnetron-sputtering  ZAO thin films  sputtering target  optical and electrical characte- ristics
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