| GaN/SiC异质结正向恢复行为的数值模拟 |
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| 引用本文： | 赵少云,韦文生. GaN/SiC异质结正向恢复行为的数值模拟[J]. 材料导报, 2016, 30(8): 143-148, 157. DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2016.08.032 |
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| 作者姓名： | 赵少云 韦文生 |
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| 作者单位： | 温州大学物理与电子信息工程学院,温州,325035 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(62174006) |
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| 摘 要： | 利用Matlab编程模拟仿真了GaN/SiC异质结的正向恢复过程。讨论了GaN/SiC异质结的模型,分析了异质结的外因(外加电流变化率、温度等)及内因(N区掺杂浓度、电子迁移率等)对异质结正向峰值电压和正向恢复时间的影响,对比了GaN/6H-SiC、GaN/4H-SiC、GaN/3C-SiC三种异质结的正向恢复过程。结果表明,前述内、外因素对GaN/SiC异质结的正向恢复有明显影响,可通过调节各参数以优化GaN/SiC异质结的正向恢复过程。
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| 关 键 词： | GaN/SiC异质结 正向恢复 峰值电压 正向恢复时间 数值模拟 |
Numerical Simulation on Forward Recovery Behavior of GaN/SiC Heterojunction |
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| ZHAO Shaoyun,WEI Wensheng. Numerical Simulation on Forward Recovery Behavior of GaN/SiC Heterojunction[J]. Materials Review, 2016, 30(8): 143-148, 157. DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2016.08.032 |
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| Authors: | ZHAO Shaoyun WEI Wensheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN/SiC heterojunction forward recovery peak voltage forward recovery time numerical simulation |
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