| InGaAsP/InGaP/AlGaAs大光学腔量子阱激光器的优化 |
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| 引用本文： | 曹玉莲,李慧,何国荣,王小东,王青,吴旭明,宋国峰,陈良惠.InGaAsP/InGaP/AlGaAs大光学腔量子阱激光器的优化[J].半导体学报,2006,27(12):2173-2177. |
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| 作者姓名： | 曹玉莲 李慧 何国荣 王小东 王青 吴旭明 宋国峰 陈良惠 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,纳米光电子实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,纳米光电子实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,纳米光电子实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,纳米光电子实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,纳米光电子实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,纳米光电子实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,纳米光电子实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,纳米光电子实验室,北京,100083 |
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| 摘 要： | 本文对808nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料的大光学腔结构激光器进行了理论优化.为确保激光器是单横模激射,我们使用传递矩阵的方法,分别计算了限制层和欧姆接触层厚度对TE2和TE0模式损耗的影响,对上下限制层和欧姆接触层的厚度进行了优化,其优化后的厚度分别为0.8,0.6和0.11μm.高折射率的欧姆接触层被低折射率的限制层和金属层包围形成了无源的次级波导,泄漏波在次级波导中形成了寄生模式.欧姆接触层厚度对模式损耗的影响是周期性的,当欧姆接触层厚度为该模式的λ1/4时发生第一次共振,发生共振的间隔为其垂直注入的泄漏波波长λ1的一半.
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| 关 键 词： | InGaAsP/InGaP/AlGaAs 限制层厚度 欧姆接触层厚度 共振 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)12-2173-05 |
| 收稿时间： | 05 24 2006 12:00AM |
| 修稿时间： | 07 25 2006 12:00AM |
Theoretical Optimization of an 808nm Large Optical CavityQuantum Well Laser |
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| Cao Yulian,Li Hui,He Guorong,Wang Xiaodong,Wang Qing,Wu Xuming,Song Guofeng and Chen Lianghui.Theoretical Optimization of an 808nm Large Optical CavityQuantum Well Laser[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(12):2173-2177. |
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| Authors: | Cao Yulian Li Hui He Guorong Wang Xiaodong Wang Qing Wu Xuming Song Guofeng and Chen Lianghui |
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| Affiliation: | Nano-Optoelectronics Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Nano-Optoelectronics Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Nano-Optoelectronics Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Nano-Optoelectronics Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Nano-Optoelectronics Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Nano-Optoelectronics Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Nano-Optoelectronics Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Nano-Optoelectronics Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaAsP/InGaP/AlGaAs cladding layer thickness cap layer thickness LOC resonance |
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