| Ta2O5与Nb2O5对TiO2基压敏陶瓷电性能的影响 |
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| 引用本文： | 孟凡明,傅刚,胡素梅,陈志雄.Ta2O5与Nb2O5对TiO2基压敏陶瓷电性能的影响[J].硅酸盐学报,2004,32(12):1496-1499. |
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| 作者姓名： | 孟凡明 傅刚 胡素梅 陈志雄 |
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| 作者单位： | 安徽大学物理与材料科学学院,电子材料研究室,合肥,230039;广州大学固体物理与材料研究实验室,广州,510405;茂名学院技术物理系,广东,茂名,525300 |
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| 基金项目： | 安徽省教育厅科研基金资助项目. |
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| 摘 要： | 研究了Ta2O5与Nb2O5对TiO2基压敏陶瓷电性能的影响.按照配方TiO2+0.003(按摩尔计)(SrO+Bi2O3+SiO2)+x Ta2O5+yNb2O5配制3种组分的圆片试样,各组分摩尔量分别为x=0.000 75,y=0;x=0.000 375,y=0.000 375及x=0,y=0.000 75.采用电流-电压、电容测量、阻抗分析和势垒高度测量等实验手段,分析了Ta2O5和Nb2O5的作用机理.结果发现,x=0.000 75的样品显示出最低的压敏电压梯度(E10 mA=7.9 V/mm)和最大的表观介电常数(εra=5.88×104),y=0.000 75的样品显示出最高的压敏电压梯度(E10mA=48.9 V/mm)和最小的表观介电常数(εra=1.39×104).这表明,掺Ta2O5可有效地降低压敏电压,提高介电常数.
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| 关 键 词： | 氧化钛基压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 电容量 晶粒电阻 半导体 |
| 文章编号： | 0454-5648(2004)12-1496-04 |
| 修稿时间： | 2004年3月12日 |
INFLUENCE OF Ta2 O5 AND Nb2O5 ON ELECTRICAL PROPERTIES OF TiO2-BASED VARISTOR CERAMICS |
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| MENG Fanming,FU Gang,HU Sumei,CHEN Zhixiong.INFLUENCE OF Ta2 O5 AND Nb2O5 ON ELECTRICAL PROPERTIES OF TiO2-BASED VARISTOR CERAMICS[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2004,32(12):1496-1499. |
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| Authors: | MENG Fanming FU Gang HU Sumei CHEN Zhixiong |
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| Affiliation: | MENG Fanming~1,FU Gang~2,HU Sumei~3,CHEN Zhixiong~2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | titania-based varistor ceramics breakdown voltage nonlinear coefficient electric capacity grain resistance semiconductor |
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