|
|||||
|
|
| 新的半导体制造技术——掺杂多晶硅工艺 | |
| 引用本文： | 益民.新的半导体制造技术——掺杂多晶硅工艺[J].微电子学,1973(Z1). |
| 作者姓名： | 益民 |
| 摘 要： | 在1972年国际电子器件会议上,日本富士通公司发表了一种新的半导体制造技术——掺杂多晶硅工艺,该工艺可应用于超高速集成电路和微波晶体管制作。在电流型逻辑超高速集成电路及微波晶体管中,由于电极条很窄(例如莫托洛拉公司的MECLⅢ,单门传递延迟时间1毫微秒,发射极条宽为9000埃～1微米),一般都用泡发射极工艺。亦即在形成微波晶体管及ECL电路的发射极扩散层时,由化学汽相淀积法生成掺杂氧化层,经热扩散后,由泡发射极工艺开发射极窗孔,然后形成铝电极。泡发射极工艺是利用掺杂的氧化层(掺杂SiO_2)与不含杂质的二氧化硅之间腐蚀速度的不同,从而可不采用光刻掩蔽(免去发射极光刻)直接腐蚀出发射极 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |