| 用堆集掩模技术制造变厚超导微桥 |
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| 引用本文： | 时贤庆,杨彩炳,祁宜芝,曹效能,马金娣,黄继章. 用堆集掩模技术制造变厚超导微桥[J]. 电子与信息学报,1987,9(5): 473-476. |
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| 作者姓名： | 时贤庆 杨彩炳 祁宜芝 曹效能 马金娣 黄继章 |
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| 作者单位： | 中国科学院电子学研究所(时贤庆，杨彩炳，祁宜芝，曹效能，马金娣)，中国科学院电子学研究所(黄继章) |
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| 摘 要： | 本文介绍了一种制作变厚超导微桥的新方法。用此方法变厚超导微桥通过一次光刻、用三个坩埚、不必打开镀膜机就能制成。利用普通接触式紫外曝光设备和斜蒸发技术,使桥区达到亚微米尺寸。并获得了无迴滞的直流I-V特性。
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| 收稿时间： | 1986-01-08 |
| 修稿时间： | 1987-03-17 |
FABRICATION OF VARIABLE THICKNESS SUPERCONDUCTING MICROBRIDGES WITH THE PILE-UP MASKING TECHNIQUE |
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| Shi Xiangqing,Yang Caibing,Qi Yizhi,Cao Xiaoneng,Ma Jindi,Huang Jizhang. FABRICATION OF VARIABLE THICKNESS SUPERCONDUCTING MICROBRIDGES WITH THE PILE-UP MASKING TECHNIQUE[J]. Journal of Electronics & Information Technology,1987,9(5): 473-476. |
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| Authors: | Shi Xiangqing Yang Caibing Qi Yizhi Cao Xiaoneng Ma Jindi Huang Jizhang |
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| Affiliation: | Institute of Elcctronicf Academia Sinica |
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| Abstract: | A pile-up masking technique using the conventional optical lithography and a two-step or three-step evaporation process is developed to fabricate the variable thickness superconducting microbridges of submicron. The l-V characterise of the microbridges made by the technique is measured at 4.2 k. |
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