| 一种新型2.4 GHz SiGe BiCMOS低噪声放大器 |
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| 引用本文： | 戴广豪,李文杰,王生荣,李竞春,杨谟华. 一种新型2.4 GHz SiGe BiCMOS低噪声放大器[J]. 微电子学, 2006, 36(5): 580-583 |
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| 作者姓名： | 戴广豪 李文杰 王生荣 李竞春 杨谟华 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 |
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| 摘 要： | 基于窄带低噪声放大器理论,设计了一种2.4 GHz,具有低功耗、低噪声和良好匹配性等优点的新型BiFET结构SiGe BiCMOS低噪声放大器。采用TSMC 0.35μm SiGe BiCMOS工艺库,利用SpectreRF软件的仿真结果显示,该电路具有2.27 dB低噪声系数,11.5 dB正向增益;2 V工作电压下,其功耗仅为6.1 mW。研究结果表明,该低噪声放大器在射频蓝牙系统中具有一定的应用前景。
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| 关 键 词： | SiGeBiCMOS 低噪声放大器 BiFET 蓝牙系统 |
| 文章编号： | 1004-3365（2006）05-0580-04 |
| 收稿时间： | 2006-06-23 |
| 修稿时间： | 2006-06-232006-08-12 |
A Novel 2.4 GHz SiGe BiCMOS Low Noise Amplifier |
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| DAI Guang-hao,LI Wen-jie,WANG Sheng-rong,LI Jing-chun,YANG Mo-hua. A Novel 2.4 GHz SiGe BiCMOS Low Noise Amplifier[J]. Microelectronics, 2006, 36(5): 580-583 |
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| Authors: | DAI Guang-hao LI Wen-jie WANG Sheng-rong LI Jing-chun YANG Mo-hua |
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| Affiliation: | School of Microelec. and Sol. Sta. Electro., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu, Sichuan 610054, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe BiCMOS Low noise amplifier BiFET Bluetooth system |
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