高频小功率高反压晶体管在高反压功率负荷状态下可靠性的改进

计算了在高反压功率负荷试验的条件下,高反压管3DG400的集电结耗尽层向基区部分扩展的深度。认为在我们的工艺参数下,由于耗尽层的扩展造成的基区穿通是高反压管在试验中失效的主要因素。指出:在f_T所允许的范围内增加结深和基区宽度是解决高反压管在高反压状态下稳定和可靠的关键。在假定f_T的最佳值后,计算了对应的基区宽度,从而得到理想的3DG400模型。据此:修改了工艺参数,制订了正确的工艺规范。经过一年的实践验证,证明了分析与计算的正确性,获得了令人满意的结果。