| 摘 要： | 新型高性能透明导电氧化物薄膜(简称IBO)在加工过程中会产生大量的废料，另外，随着IBO的广泛应用，IBO废靶量也将与日俱增。采用真空蒸馏工艺分离提纯时，In与Bi的饱和蒸气压相近，较难获得满意的工艺参数。气-液平衡(VLE)相图可用于指导真空蒸馏实践，本文以配置的In-Bi合金为原料进行真空蒸馏实验，以获得In-Bi合金的VLE值，并采用MIVM预测In-Bi合金组元的活度及气液平衡数据，获得以下结论：在压力5～10 Pa、温度1 183 K、平衡时间3.17 h条件下，当残留物中In含量为80.80%时，挥发物中铋含量达到97.17%,表明采用真空蒸馏可分离In-Bi合金中的In和Bi;采用分子相互作用体积模型(MIVM)预测了In-Bi合金组元的活度，平均标准偏差分别为±0.013 9、±0.007,平均相对偏差分别为±11.216%、±11.452 1%,表明采用MIVM预测In-Bi合金组元的活度是可靠的；采用MIVM预测了In-Bi合金体系的VLE值，与实验值吻合，表明采用MIVM预测铟基合金体系的VLE值是可靠的，且适用于不同摩尔比下的铟基合金，可用于指导真空蒸馏分离铟基...
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