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磷扩散硅片中残余应变和失配位错
作者姓名:罗江财
作者单位:重庆光电技术研究所
摘    要:本文讨论了Si单晶中磷扩散造成的扩散层晶格的残余应变,此应变与磷浓度的关系,以及它的测量方法和测量结果。还讨论了在此应变梯度驱动下在扩散层中产生失配位错网络的条件和影响失配位错的因素,及其在Si的集成技术上的意义。

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