| 减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能 |
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| 引用本文： | 石瑞英,孙海峰,刘训春,袁志鹏,罗明雄,汪宁. 减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能[J]. 半导体学报, 2004, 25(8): 991-994 |
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| 作者姓名： | 石瑞英 孙海峰 刘训春 袁志鹏 罗明雄 汪宁 |
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| 作者单位： | 四川大学物理系 成都610064(石瑞英)，中国科学院微电子研究所 北京100029(孙海峰，刘训春，袁志鹏，罗明雄)，中国科学院微电子研究所 北京100029(汪宁) |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 在发射极宽度为3μm和4 μm In Ga P/ Ga As HBT工艺的基础上,研究了发射极宽度为2 μm时发射极与基极之间的自对准工艺,用简单方法制备出了发射极宽度为2 μm的In Ga P/ Ga As HBT.发射极面积为2 μm×1 5 μm时器件的截止频率高达81 GHz,且集电极电流密度为7×1 0 4 A/ cm2 时仍没有出现明显的自热效应.它的高频和直流特性均比发射极宽度为3μm和4 μm In Ga P/ Ga As HBT的有了显著提高,并对器件性能提高的原因进行了分析
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| 关 键 词： | 自对准工艺 减小发射极宽度 提高InGaP/GaAsHBT的性能 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)08-0991-04 |
| 修稿时间： | 2003-07-05 |
Improved Performance of InGaP/GaAs HBT with Small-Scaled Emitter |
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| Shi Ruiying ,Sun Haifeng ,Liu Xunchun ,Yuan Zhipeng ,Luo Mingxiong and Wang Ning. Improved Performance of InGaP/GaAs HBT with Small-Scaled Emitter[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(8): 991-994 |
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| Authors: | Shi Ruiying Sun Haifeng Liu Xunchun Yuan Zhipeng Luo Mingxiong Wang Ning |
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| Affiliation: | Shi Ruiying 1,Sun Haifeng 2,Liu Xunchun 2,Yuan Zhipeng 2,Luo Mingxiong 2 and Wang Ning 2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | self aligned small scaled emitter improved device characteristics |
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