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硅纳米颗粒和多孔硅的荧光光谱研究
引用本文:曹小龙 李清山 张淑芳. 硅纳米颗粒和多孔硅的荧光光谱研究[J]. 光电子.激光, 2004, 15(9): 1113-1117
作者姓名:曹小龙 李清山 张淑芳
作者单位:曲阜师范大学物理系,曲阜,273165;曲阜师范大学化学系,曲阜,273165
基金项目:山东省自然科学基金资助项目(Y2002A09)
摘    要:采用不同氧化电流密度制备多孔硅,利用超声波粉碎多孔硅层得到硅纳米颗粒,研究了多孔硅和硅纳米颗粒的荧光光谱性质。结果表明,随着氧化电流密度的增加.多孔硅的发光峰值波长向短波方向“蓝移”。硅纳米颗粒相对多孔硅发光强度提高,峰值波长也发生“蓝移”,观察到硅纳米颗粒极强的蓝紫光发射(≈400nm)现象。表明量子限制效应和表面态对多孔硅和硅纳米颗粒的PL性质有重要作用,并用量子限制效应发光中心模型对实验现象进行了解释。

关 键 词:多孔硅  硅纳米颗粒  量子限制效应  发光中心
文章编号:1005-0086(2004)09-1113-05

Investigation of Photoluminescence Spectra of Silicon Nanoparticles and Porous Silicon
CAO Xiao-long,LI Qing-shan,ZHANG Shu-fang. Investigation of Photoluminescence Spectra of Silicon Nanoparticles and Porous Silicon[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2004, 15(9): 1113-1117
Authors:CAO Xiao-long  LI Qing-shan  ZHANG Shu-fang
Affiliation:CAO Xiao-long1,LI Qing-shan1,ZHANG Shu-fang2
Abstract:
Keywords:porous silicon  silicon nanoparticles  photoluminescene  quantum confinement effect  luminescence centre
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