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| MOS功率器件的新成员—MBSIT | |
| 引用本文： | 弓小武,刘玉书.MOS功率器件的新成员—MBSIT[J].电力电子技术,1997,31(3):79-81. |
| 作者姓名： | 弓小武 刘玉书 |
| 作者单位： | [1]西安电子科技大学 [2]西安微电子研究所 |
| 基金项目： | 西安电子科技大学综合业务网理论与关键技术国家重点实验室资助 |
| 摘 要： | 介绍了一种新型ＭＯＳ控制功率器件－ＭＢＳＩＴ，它的制造工艺类似于一个功率ＭＯＳ的制造工艺，其材料是在ｎ＾＋衬底上生成ｎ＾－外延层。该器件被设计为常开器件，它的阳极电流通路完全被ＢＳＩＴ沟道中的自建电场所夹断，当外加一个正向栅压时，器件可通过阳极电流。该器件具有低的导通电阻，高速和大的导通电流密度，是一种很有发展前任的大电流，高速度，高效率开关器件。 |
| 关 键 词： | 金属氧化物 场效应晶体管 电力晶体管 功率器件 |
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