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| 纳米Ge颗粒镶嵌硅基薄膜的结构与光吸收特性的研究 | |
| 引用本文： | 梁昌掁,欧阳义芳,吴雪梅,姚伟国. 纳米Ge颗粒镶嵌硅基薄膜的结构与光吸收特性的研究[J]. 微细加工技术, 2003, 0(2): 49-53,58 |
| 作者姓名： | 梁昌掁 欧阳义芳 吴雪梅 姚伟国 |
| 作者单位： | 1. 苏州大学物理系，苏州 215006;广西大学物理系，南宁 530000 2. 广西大学物理系，南宁 530000 3. 苏州大学物理系，苏州 215006 |
| 摘 要： | 采用射频磁控共溅射方法制备了纳米Ge颗粒镶嵌于SiQ中的复合薄膜(Ge—SiO2)，结合样品结构对光吸收特性进行深入的研究。研究发现该类样品存在较强的光吸收，并且光吸收边随Ge颗粒尺寸变小有显著的蓝移现象。采用量子限域模型和介电限域模型分别作了相应的理论计算，结果表明两种模型的理论计算结果与实验值均有一定的偏差；在小尺寸的Ge颗粒情况下，前者与实验值有明显的差异。对此结果我们给出了相应的分析讨论。 |
| 关 键 词： | 纳米Ge颗粒 硅基薄膜 光吸收 结构 量子限域效应 介电限域效应 |
| 文章编号： | 1003-8213(2003)02-0049-05 |
Study on Structure and Absorbance Properties of Si-based Films Containing Nanometer Ge |
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| Abstract: | |
| Keywords: | film structure light absorption quantum confinement effect dielectric confinement effect |
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