| 980nm InGaAs／GaAs／AlGaAs大功率LDs模式特性研究 |
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| 引用本文： | 崔碧峰,李建军,邹德恕,王东凤,沈光地.980nm InGaAs／GaAs／AlGaAs大功率LDs模式特性研究[J].光电子．激光,2003,14(10):1011-1014. |
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| 作者姓名： | 崔碧峰 李建军 邹德恕 王东凤 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京市光电子技术实验室,北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，北京市自然科学基金，北京市科委科技攻关项目，G20000683-02，2002AA312070，69889601，4032007,4021001，99270603，，，，， |
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| 摘 要： | 针对目前大功率980 nm量子阱半导体激光器(LDs)为降低阈值电流而要求激射条宽窄、腐蚀深度深而造成的P-I曲线扭折、侧向模式不稳定问题采用有效折射率近似方法进行模拟分析,并得到了实验上的证实.通过采用不对称波导及双量子阱结构,制备了低阈值(19 mA)模式稳定的InGaAs/GaAs/AlGaAs LDs,其斜率效率0.6 W/A(8 μm×500 μm,未镀膜器件),在输出功率达到100 mW时保持横模、侧模的稳定.
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| 关 键 词： | 量子阱半导体激光器 有效折射率近似 侧模 稳定性 不对称波导 |
| 文章编号： | 1005-0086(2003)10-1011-04 |
| 修稿时间： | 2003年3月17日 |
Study on Lateral Mode of InGaAs/GaAs/AlGaAs 980 nm High-power LDs |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | lateral mode stability effective refractive index approximation |
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