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| 国外半导体微细加工设备发展动向 | |
| 引用本文： | 吴健昌.国外半导体微细加工设备发展动向[J].半导体技术,1991(3):47-53. |
| 作者姓名： | 吴健昌 |
| 作者单位： | 机电部48研究所 410111 |
| 摘 要： | 1 曝光设备 由于集成电路由1M向16M进而向256M的方向发展,要求图形线宽跟着进一步缩小。以前较为流行的看法是光学曝光只能用到1μm,进入亚微米以后必须使用电子束等其它曝光技术,但是随着准分子激光光源的出现。光学曝光已突破1μm的禁区。因此,目前亚微米领域 |
| 关 键 词： | 加工设备 微电子学 半导体 |
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