| 10Gb/s光调制器InGaP/GaAs HBT驱动电路的研制 |
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| 引用本文： | 袁志鹏,刘洪刚,刘训春,吴德馨.10Gb/s光调制器InGaP/GaAs HBT驱动电路的研制[J].电子学报,2004,32(11):1782-1784. |
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| 作者姓名： | 袁志鹏 刘洪刚 刘训春 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心,北京 100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，中国科学院方向性项目 |
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| 摘 要： | 采用自行研发的4英寸InGaP/GaAs HBT技术,设计和制造了10Gb/s光调制器驱动电路.该驱动电路的输出电压摆幅达到3Vpp,上升时间为34.2ps(20~80%),下降时间为37.8ps(20~80%),输入端的阻抗匹配良好(S11=-12.3dB@10GHz),达到10Gb/s光通信系统(SONET OC-192,SDH STM-64)的要求.整个驱动电路采用-5.2V的单电源供电,总功耗为1.3W,芯片面积为2.01×1.38mm2.
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| 关 键 词： | 光发射机 光调制器驱动电路 InGaP/GaAs HBT |
| 文章编号： | 0372-2112(2004)11-1782-03 |
| 收稿时间： | 2003-06-26 |
Research on 10Gb/s InGaP/GaAs HBT Driver IC for Optic Modulator |
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| YUAN Zhi-peng,LIU Hong-gang,LIU Xun-chun,WU De-xin.Research on 10Gb/s InGaP/GaAs HBT Driver IC for Optic Modulator[J].Acta Electronica Sinica,2004,32(11):1782-1784. |
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| Authors: | YUAN Zhi-peng LIU Hong-gang LIU Xun-chun WU De-xin |
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| Affiliation: | Microelectronics R&D Center of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China |
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| Abstract: | A 10Gb/s driver IC for optic modulator has been implemented using our 4-inch InGaP/GaAs HBT process.The driver IC operates up to 10Gb/s with an output voltage swing of 3Vpp and 34.2ps(20 to 80%) of tr and 37.8ps(20 to 80%) of tf.and input return losses of -12.3dB at 10GHz,which make the driver suitable for 10Gb/s optic telecommunication systems(SONET OC-192,SDH STM-64).A single power supply VEE is -5.2V,and the power consumption is 1.3W.The die size is 2.01×1.38mm2. |
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| Keywords: | InGaP/GaAs HBT |
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