离子注入氮化薄SiO_2栅介质的特性 |
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引用本文: | 王延峰,刘忠立. 离子注入氮化薄SiO_2栅介质的特性[J]. 半导体学报, 2001, 22(7): 881-884 |
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作者姓名: | 王延峰 刘忠立 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所传感技术国家实验室!北京100083 |
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摘 要: | 研究了通过多晶硅栅注入氮离子氮化 10 nm薄栅 Si O2 的特性 .实验证明氮化后的薄 Si O2 栅具有明显的抗硼穿透能力 ,它在 FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向 FN应力下的慢态产生速率比常规栅介质均有显著下降 ,氮化栅介质的击穿电荷 (Qbd)比常规栅介质提高了 2 0 % .栅介质性能改善的可能原因是由于离子注入工艺在栅 Si O2 中引进的 N+离子形成了更稳定的键所致
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关 键 词: | 氮化薄SiO2栅 氮离子注入 硼穿透 FN应力 |
Study on Nitridation of Thin Gate SiO_2 Using Nitrogen Ion Implantation |
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Abstract: | The nitridation technique of the thin gate SiO 2 is reported by using the nitrogen ion implantation through the poly silicon gate.It shows that the thin gate SiO 2 after nitridation can effectively suppress the boron penetration.The generation rate of the charge traps under a positive/negative FN stress and the slow state under the positive FN stress are significantly improved.The charges to breakdown of the nitrided thin gate SiO 2 increase 20%,compared with the conventional ones. |
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Keywords: | nitrided thin gate SiO 2 nitrogen ion implantation boron penetration FN stress |
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