| 1/f噪声检测MOSFET静电潜在损伤的理论基础 |
| |
| 引用本文： | 马仲发,庄奕琪,杜磊,薛丽君,万长兴,施超.1/f噪声检测MOSFET静电潜在损伤的理论基础[J].西安电子科技大学学报,2002,29(5):575-580. |
| |
| 作者姓名： | 马仲发 庄奕琪 杜磊 薛丽君 万长兴 施超 |
| |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所 陕西西安710071
(马仲发，庄奕琪，杜磊，薛丽君，万长兴)，西安电子科技大学微电子研究所 陕西西安710071(施超) |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (696710 0 3 ) |
| |
| 摘 要： | 分析了MOSFET静电损伤的机理，发现在静电应力期间，随着应力次数的增加，在SiO2体内的Si/SiO2界面同时产生潜在损伤积累。Si/SiO2界面较SiO2层体内更容易产生缺陷，而且缺陷浓度更大，用逾渗理论模拟了MOSFET中1/?噪声与边界陷阱浓度的关系，提出了与实验相一致的定性结果，为MOSFET静电潜在损伤的沟通漏源电流1/?噪声检测方法提供了理论依据。
|
| 关 键 词： | MOSFET 静电 潜在损伤 无损检测 1／f噪声 逾渗 |
| 文章编号： | 1001-2400(2002)05-0575-05 |
| 修稿时间： | 2001年11月25 |
A percolation simulation of the ESD latent damages in MOSFET |
| |
| MA Zhong fa,ZHUANG Yi qi,DU Lei,XUE Li jun,WAN Chang xing,SHI Chao.A percolation simulation of the ESD latent damages in MOSFET[J].Journal of Xidian University,2002,29(5):575-580. |
| |
| Authors: | MA Zhong fa ZHUANG Yi qi DU Lei XUE Li jun WAN Chang xing SHI Chao |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | keywords |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《西安电子科技大学学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《西安电子科技大学学报》下载全文 |
