离子注入和热退火工艺对应变Si材料应力影响研究

应变Si技术是延续摩尔定律最有效技术之一，论文重点研究了离子注入和热退火过程对应变Si材料中应力的影响，开展了不同离子注入类型、能量和剂量，以及热退火温度和时间对应变Si材料特性影响的实验，并应用拉曼测试对实验结果进行了分析，结果表明：在剂量小于5E14cm-2时，应变Si材料中的应力几乎不随离子注入的能量与剂量变化；应变Si材料在1000℃以下，在60min以内热退火，应力几乎不随温度与时间的变化而变化。