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| 采用芯片级封装的14GHz~18GHz双通道多功能芯片设计 | |
| 引用本文： | 谢卓恒.采用芯片级封装的14GHz~18GHz双通道多功能芯片设计[J].电子器件,2018,41(3). |
| 作者姓名： | 谢卓恒 |
| 作者单位： | 重庆西南集成电路设计有限责任公司 |
| 摘 要： | 论述了一种基于芯片级封装（WLCSP）的双通道多功能芯片，采用0.18um SiGe BiCMOS工艺进行设计，根据通信系统要求确定系统具体指标，测试结果表明多功能芯片增益大于12 dB，输出功率大于为7dBm，移相精度小于7°，通道隔离度大于28dB，单通道功电流小于90mA。 |
| 关 键 词： | 多功能 双通道 SiGe |
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