| Al掺杂HfO2高k栅介质沉积后退火工艺研究 |
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| 引用本文： | 李佳帅,张静,杨红,刘倩倩,闫江.Al掺杂HfO2高k栅介质沉积后退火工艺研究[J].电子器件,2018,41(6). |
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| 作者姓名： | 李佳帅 张静 杨红 刘倩倩 闫江 |
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| 作者单位： | 北方工业大学 |
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| 基金项目： | Ge基MOS器件迁移率的远程库伦散射机制的研究 |
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| 摘 要： | 为满足集成电路发展需求，通过向HfO2掺入Al元素形成Al掺杂的HfO2新型高k材料，并在不同的环境和温度下进行退火，研究其电学特性的变化。通过对电学参数的分析，研究Al掺杂HfO2材料体内正电荷缺陷、k值（晶相变化）、界面层厚度、栅漏电等的影响。最终，在N2环境中700℃退火条件下，Al掺杂HfO2的电学特性达到最优，其EOT为0.88nm、Vfb为0.46V和Ig为2.19×10-4A/cm2。最优条件下的EOT可以满足14/16nm器件的需要（EOT<1nm），Ig比相同EOT的HfO2材料小3个数量级。
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| 关 键 词： | 微电子 Al掺杂的HfO2 退火工艺 结晶 C-V特性 高k |
Study on Post Deposition Annealing Process of Al-Doped HfO2 High - k Dielectric |
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