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一种新型肖特基整流管设计
引用本文:闫丽红,王永顺,刘缤璐.一种新型肖特基整流管设计[J].电子器件,2018,41(5).
作者姓名:闫丽红  王永顺  刘缤璐
作者单位:兰州交通大学电子与信息工程学院
摘    要:在研究功率肖特基整流管的基础上,针对反向击穿电压、漏电流、抗浪涌能力的提高,采取加场限环的方法,设计并制造了一种新型结势垒肖特基整流管(Junction barrier Schottky rectifier,JBS)。通过从有源区参数、外延材料、流片工艺、产品电参数、可靠性等方面进行了全面设计。经测试,电参数水平正向电压VF:0.85-0.856V,反向电流IR:4-50.5uA,反向电压VR:307.5-465.2V,抗静电水平从低温退火的6-12KV提高到15KV,经高温直流老化后,可靠性电参数水平满足预期的设计要求。

关 键 词:反向击穿电压  场限环  外延材料    流片工艺

Design of a new Schottky rectifier tube
Abstract:Based on the study of power Schottky rectifier, in view of the reverse breakdown voltage, leakage current, anti surge capacity, adopt the method with field limiting ring, the design and manufacture of a new junction barrier Schottky rectifier (Junction barrier Schottky rectifier, JBS).Designed from a source area parameters, epitaxial material, chip technology, products electrical parameters,reliability ,etc.Tested, electricity parameter level forward voltage VF: 0.85-0.856 V, reverse current IR: 4-50.5 uA, reverse voltage VR: 307.5-465.2 V,anti-static level from low temperature annealing of 6 - 12 kv to 15 kv, after high temperature aging,the level of reliability of electric parameters meet the expected design requirements.
Keywords:reverse breakdown voltage  field limiting ring  epitaxial material  chip technology
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