| SiMx：H膜沉积气体压力与热处理温度的匹配性研究 |
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| 引用本文： | 柳翠,龚铁裕,许瑞峰,黄勋骅,袁晓,汪乐.SiMx：H膜沉积气体压力与热处理温度的匹配性研究[J].功能材料,2007,38(A04):1495-1498. |
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| 作者姓名： | 柳翠 龚铁裕 许瑞峰 黄勋骅 袁晓 汪乐 |
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| 作者单位： | 上海太阳能科技有限公司,上海201108 |
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| 基金项目： | 基金项目：上海市科委重点科技攻关资助项目（03DZ12027） |
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| 摘 要： | 采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺在多晶硅片上生长SiMx：H膜，研究了不同反应气体压力对SiMx：H膜层性能的影响，以寻求SiNx：H膜光学性能和钝化效果之间的平衡关系。在气体压力为0．25Pa时，SiNx：H膜的折射率和钝化效果均达到理想的范围，并经840℃热处理后钝化效果得到进一步提高，与烧结工艺温度相匹配。气体压力0．25Pa条件下沉积的SiMx：H膜制成太阳电池后开路电压和短路电流最高，电池性能最佳。
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| 关 键 词： | SiNx H膜 钝化 热处理 多晶硅太阳电池 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-1495-04 |
| 修稿时间： | 2007-09-19 |
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