| 高度（100）取向PLT/PZT多层铁电薄膜的制备与性能研究 |
| |
| 引用本文： | 吴家刚,朱基亮,肖定全,朱建国,谭浚哲,张青磊.高度（100）取向PLT/PZT多层铁电薄膜的制备与性能研究[J].功能材料,2007,38(A02):779-781. |
| |
| 作者姓名： | 吴家刚 朱基亮 肖定全 朱建国 谭浚哲 张青磊 |
| |
| 作者单位： | 四川大学材料科学与工程学院,四川成都610064 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重点资助项目（50132020）;国家重点基础研究发展计划（973计划）资助项目（Z0601）. |
| |
| 摘 要： | 利用射频磁控溅射技术，以PbOx为过渡层，在Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）衬底上，采用原位溅射技术制备了高度（100）取向的（Pb0.90La0.10）Ti0.975O3/Pb（Zr0.20Ti0.80）O3]n（n=1，2）{筒记为PLT/PZT]。）多层铁电薄膜，研究了层数对多层铁电薄膜介电性能和铁电性能的影响。研究得出，（100）取向的PbOx，过渡层导致了PLT/PZT]。多层铁电薄膜的（100）择优取向；高度（100）择优取向的PLT/PZT]2薄膜具有更大的剩余极（2Pr=31.45μC/cm）和更好的“蝴蝶”状C-V曲线。这些研究结果表明，所制备的（100）取向的PLT/PZT]2多层铁电薄膜具有优良的铁电性能。
|
| 关 键 词： | PLT/PZT 多层铁电薄膜 磁控溅射 （100）取向 电学性质 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-0779-03 |
| 修稿时间： | 2007-07-27 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
|
