| 不同剂量和退火条件下Mn^＋注入p-GaN薄膜的电、磁特性研究 |
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| 引用本文： | 石瑛,宋平,蒋昌忠,范湘军.不同剂量和退火条件下Mn^＋注入p-GaN薄膜的电、磁特性研究[J].功能材料,2007,38(A03):1022-1025. |
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| 作者姓名： | 石瑛 宋平 蒋昌忠 范湘军 |
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| 作者单位： | 武汉大学物理科学与技术学院,湖北武汉430072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（10675094;10205010;10435060）. |
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| 摘 要： | 对在蓝宝石衬底上MOCVD生长的P型GaN薄膜，用能量为90keV的Mn^＋离子进行室温下的磁性离子注入掺杂，注入剂量为1×10^15～5×10^16cm^-2．对注入的样品在N2气流中经800℃下0～90s时间不等的快速热退火处理．对样品的电、磁特性分析发现在注入剂量较低时（≤1×10^16cm^-2），样品中的强铁磁性对应着高电阻率，弱铁磁性对应着低电阻率；而在5×10Mcm^-2的高注入剂量下则没有这样的规律。通过对退火条件的研究，发现在800℃下退火45s的样品具有较强的铁磁性和较低的电阻率，而退火90s的样品中铁磁性减弱，电阻率升高，揭示出注入剂量和退火条件是在对P型GaN薄膜进行磁性离子注入掺杂过程中的两个重要控制参量．
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| 关 键 词： | GaN 离子注入 退火 磁性 电阻率 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-1022-04 |
| 修稿时间： | 2007-01-08 |
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