| 直流磁控溅射制备PbTe薄膜 |
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| 引用本文： | 穆武第 程海峰 唐耿平 陈朝辉. 直流磁控溅射制备PbTe薄膜[J]. 功能材料, 2007, 38(A04): 1329-1331 |
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| 作者姓名： | 穆武第 程海峰 唐耿平 陈朝辉 |
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| 作者单位： | 国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,湖南长沙410073 |
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| 摘 要： | 采用直流磁控溅射的方式，用PbTe靶材溅射沉积在玻璃基底上得到了PbTe薄膜，薄膜生长速率约为100nm／min，通过控制溅射时间可沉积几纳米到几微米的不同厚度的薄膜。PbTe薄膜是面心立方结构的纤维状生长的薄膜，溅射沉积时间对薄膜的晶粒大小和结构有较大影响，溅射时间越长薄膜的晶粒越大，薄膜结构越致密，具有片层状结构。得到的PbTe薄膜是富Te的P型半导体薄膜，其电阻率随着薄膜厚度的增大而减小。
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| 关 键 词： | 直流磁控溅射 PbTe薄膜 P型半导体 电阻率 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-1329-03 |
| 修稿时间： | 2007-05-25 |
Fabrication of PbTe films by DC magnetron sputtering |
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| MU Wu-di, CHENG Hai-feng, TANG Geng-ping, CHEN Zhao-hui. Fabrication of PbTe films by DC magnetron sputtering[J]. Journal of Functional Materials, 2007, 38(A04): 1329-1331 |
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| Authors: | MU Wu-di CHENG Hai-feng TANG Geng-ping CHEN Zhao-hui |
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| Affiliation: | Key Lab of CFC, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | DC magnetron sputtering PbTe film p-type semiconductor resistivity |
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