| 退火气氛对Al-F共掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 周丽萍 呂珺 汪冬梅 陈雯雯 吴玉程 郑治祥. 退火气氛对Al-F共掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响[J]. 功能材料, 2007, 38(A02): 536-538 |
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| 作者姓名： | 周丽萍 呂珺 汪冬梅 陈雯雯 吴玉程 郑治祥 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学材料科学与工程学院,安徽合肥230009 |
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| 基金项目： | 合肥工业大学中青年科技创新群体专项资助（103-037016）. |
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| 摘 要： | 通过溶胶．凝胶法，采用Al、F共掺杂的方法在4种不同的气氛下制备ZnO薄膜，研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电阻率和透光性随退火气氛的变化关系．制备的Al：F：ZnO薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜．4种退火气氛相比，在空气气氛下退火时，平均晶粒尺寸最大，为43．4nm，导电性能最好，电阻率可低达6．5×10^-2Ω·cm。4种退火气氛下，薄膜在可见光范围内的平均透过率均达到了75％以上，其中，空气气氛下退火时薄膜的透光性最好。
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 Al F共掺杂 溶胶-凝胶 退火气氛 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-0536-03 |
| 修稿时间： | 2007-06-12 |
Influence of annealling ambiences on properties of AI-F co-doped ZnO thin films |
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| ZHOU Li-ping, Lti Jun, WANG Dong-mei, CHEN Wen-wen, WU Yu-cheng, ZHENG Zhi-xiang. Influence of annealling ambiences on properties of AI-F co-doped ZnO thin films[J]. Journal of Functional Materials, 2007, 38(A02): 536-538 |
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| Authors: | ZHOU Li-ping Lti Jun WANG Dong-mei CHEN Wen-wen WU Yu-cheng ZHENG Zhi-xiang |
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| Affiliation: | School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei 230009, China |
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| Keywords: | ZnO thin films AI-F co-doping sol-gel process anneaUing ambiences |
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